晶振一般采用电容三端式(考毕兹) 交流等效振荡电路;实际的晶振交流等效电路其中 cv 是用来调节振荡频率,一般用变容二极管加上不同的反偏电压来实现,这也是压控作用的机理;把晶体的等效电路代替晶体后。其中 co,c1,l1,rr 是晶体的等效电路。采用泛音次数越高的晶振,安防监控有源晶振生产厂家,其等效电容 c1 就越小;因此频率的变化范围也就越小。
选择振荡器时需要考虑功耗。分立振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流以及电路内部的电容值所决定。cmos放大器功耗与工作频率成正比,可以表示为功率耗散电容值。比如,hc04反相器门电路的功率耗散电容值是90pf。在4mhz、5v电源下工作时,相当于1.8ma的电源电流。再加上20pf的晶振负载电容,整个电源电流为2.2ma。陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容,相应地也需要更多的电流。相比之下,晶振模块一般需要电源电流为10ma ~60ma。硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能,范围可以从低频固定器件的几个微安到可编程器件的几个毫安。一种低功率的硅振荡器,如max7375,工作在4mhz时只需不到2ma的电流。在特定的应用场合优化时钟源需要综合考虑以下一些因素:精度、成本、功耗以及环境需求。
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